省エネ設計に欠かせないIGBTの特性を生かすには？

　MOSFETの欠点を克服するデバイスとして開発されたIGBT は、駆動のしやすさ、広い SOA、ピーク電流能力、耐久性といったパワー MOSFET の長所も併せ持っている。少数キャリア・デバイスであるため、伝導特性に優れるが、その分スイッチング性能が損なわれる弱点もある。
　本アプリケーション・ノートは「パワーMOSFETとの違い」、「シリコン構造」、「伝導特性」、「スイッチング特性」、といった基本的な特徴から「安全動作領域」、「トランスコンダクタンス」など使用する上での注意点、さらには製品の選定に役立つデータ・シートの読み方とパラメータの用語解説などIGBTに関する情報を網羅している。