Winbond Electronics Corporation
オクタルインタフェースNAND・ウィンボンドOctalNANDのご紹介
大容量かつ高速読出しのOctalNANDは、独自の46nmシングルレベルセル（SLC）NANDプロセスを用いて製造することで、10年のデータリテンションと10万回のプログラム／イレース回数を達成。車載システムや産業機器で要求される耐久性と信頼性を実現。
2020/10/21
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「エレクトロニクス」の検索結果一覧（1ページ目）
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半導体業界に巨大M＆Aの波が再来 ―― 電子版2020年10月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版2020年10月号。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）では、昨今の半導体業界のM＆A動向をまとめた「半導体業界に巨大M＆Aの波が再来」をお送りする。
2020/10/14
Bluetooth対応スピーカーを特化型SoCで高品質・省電力に設計するポイント
ストリーミングが音楽の鑑賞手段として主流になるにつれて、スマートフォンより高音質なBluetoothスピーカーへのニーズが高まっている。こうしたニーズに応え得る外部スピーカーの中核コンポーネントに求められる要件とは何か。
2020/10/13
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MOSFET／IGBT向けゲートドライバの電力損失削減のポイント
MOSFETやIGBTを駆動させるゲートドライバ。エネルギー損失を最小限にとどめるためのポイントとは？
2020/10/02
48Vマイルドハイブリッド車の電装設計、効率化のポイントは？
欧州を中心に広がる48Vマイルドハイブリッド車。既存の12Vに加え48Vの電圧にも対応する車両設計を効率化するためのポイントとは？
2020/10/02
環境発電でバッテリーレスなBLE無線スイッチを設計する方法
IoT機器の通信として広く利用されている「Bluetooth Low Energy（BLE）」。このBLEに対応しながら、バッテリーレスで駆動する無線通信システムの設計手法を紹介する。
2020/10/01
IoT向け環境・加速度センサーの可能性を拡張する、環境発電型ノードの要件
IoTのさらなる普及を後押しするとして、IoT機器の独立可動を実現する太陽光などを利用した環境発電や、超低電力消費のデータ伝送技術を利用した小型センサーノードが注目されている。
2020/10/01
SiC MOSFETのスイッチング性能を最適化するためのゲートドライブ設計要件
SiC MOSFETは、高電圧スイッチング電源アプリケーションでの使用において、従来のシリコンベースのMOSFETやIGBTに比べ、大きな利点をもたらす。SiCMOSFETはゲートドライブ回路を理解し最適化することにより、信頼性と全体的なスイッチング性能の向上が可能となる。
2020/10/01
電気自動車に欠かせない「オンボードチャージャ」の最適な回路設計
電気自動車の需要の高まりを受け、車載バッテリーを充電するオンボードチャージャ（OBC）市場が拡大している。本資料では2種類のパワーモジュールを使用したOBCシステムの最適な設計およびシミュレーションの詳細を紹介する。
2020/10/01
ΔΣ型ADコンバータの内部動作を学ぶ
デルタシグマ（ΔΣ）型アナログ－デジタル（AD）コンバータの内部動作について解説する。
2020/09/30
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