技術文書・技術解説
日本シノプシス合同会社
DRAMの帯域幅を10倍に拡大するDDRコントローラのリード・リオーダ・バッファ
コンテンツ情報
公開日 |
2014/09/19 |
フォーマット |
PDF |
種類 |
技術文書・技術解説 |
ページ数・視聴時間 |
12 |
ファイルサイズ |
3.58MB
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要約
シノプシスのDesignWare uMCTL/uMCTL2 DDR メモリー・コントローラIP製品には、シリコン実証済みのアーキテクチャ拡張機能としてリード・リオーダ・バッファ(RRB)が採用されている。
RRBの基本的なコンセプト、およびRRBによってどの程度メモリー帯域幅が拡大するかについてご紹介し、最後に、同じ入力トラフィック・ストリームを使用して、RRBなし、RRBと外部スケジューラを使用、RRBとCAM(Content-Addressable Memory)ベースのスケジューラを使用という3種類のDRAMコントローラ・アーキテクチャを比較し、DRAMバス使用率が10%、66%、100%と大きく異なる結果となった実験についてご紹介する。