こうして使おうパワーデバイス： ゲート・ドライバIC編

　MOS ゲート・ドライバIC を利用すれば、ディスクリート回路の設計が不要になり、部品点数の削減や信頼性の向上などのメリットが得られる。特に、実際の用途ではブリッジ回路など複数のパワー・デバイスを組み合わせた構成が多い、それに必要な複数のゲート駆動回路を1パッケージに統合したMOS ゲート・ドライバIC が便利に利用できる。絶縁型のMOS ゲート・ドライバICは、絶縁素子の種類によって、電気－磁気－電気の変換によって絶縁するトランス型と、電気－光－電気の変換によって絶縁する光結合型に大別される。インフィニオンでは、JI 型とSOI 型の2 タイプのレベルシフト型と、コアレス・トランスを用いた絶縁型のMOSゲート・ドライバIC を製品化している。

　MOSFET、IGBTでは、これまで耐圧600Vの製品が最も一般的であったが、この数年のMOSFET、IGBT 製品では、高耐圧化に向けて進んでいる。十分に活用するには、ゲートを駆動するHVIC（ゲート・ドライバIC）の高耐圧化も必要となる。インフィニオンでは耐圧650 ～ 700V のMOSFET、IGBTに対応する700VのHVICを用意している。接合分離アーキテクチャを用いた製品で、シンク/ソース電流は130/60mAの小電流タイプから2300/1900mAの大電流タイプまで揃えている。