疑似共振フライバックの設計方法 - 最新の800V MOSFET「CoolMOS P7」の効率と熱特性

　インフィニオンでは、新製品800V CoolMOS P7シリーズ高耐圧MOSFETのテストプラットフォームとして45W アダプタ アプリケーション向けデモボードを用意している。アダプタには第二世代の電流モード制御疑似共振フライバック コントローラICE2QS03Gと800V CoolMOS P7（IPA80R450P7）が使用されている。

　スイッチング損失を改善するための疑似共振フライバック トポロジに基づいて設計され、高電力密度設計と輻射および雑音端子電圧の低減を可能にする。ここでは、この19V出力を備えた45W汎用入力絶縁型フライバック デモボードについて説明し、試験結果を示す。充電器およびアダプタ用途における本コントローラと800V CoolMOS P7に関する設計留意点とともに、800V CoolMOS P7によってスイッチモード電源にもたらされる利点も説明する。

【主な掲載内容】
・疑似共振フライバックの概要
・ICE2QS03Gの機能概要
・800V CoolMOS P7の概要/FullPAKとDPAKの熱的性能
・設計検討事項：800V MOSFET、UVLO回路
・デモボードの概要、PCBのレイアウト、トランスの構造