疑似共振フライバックの設計方法 - 最新の800V MOSFET「CoolMOS P7」の効率と熱特性

疑似共振フライバックは、スイッチング損失の低減に有効なトポロジである。本書では、最新世代のMOSFETを使用した疑似共振フライバックの設計方法を、45Wアダプタデモボードの例と共に紹介し、高電力密度設計と雑音端子電圧の低減を可能にするポイントを解説する。

コンテンツ情報

公開日	2017/01/05	フォーマット	PDF	種類	技術文書・技術解説
ページ数・視聴時間	28ページ			ファイルサイズ	2.39MB

要約

　インフィニオンでは、新製品800V CoolMOS P7シリーズ高耐圧MOSFETのテストプラットフォームとして45W アダプタアプリケーション向けデモボードを用意している。アダプタには第二世代の電流モード制御疑似共振フライバックコントローラICE2QS03Gと800V CoolMOS P7（IPA80R450P7）が使用されている。

　スイッチング損失を改善するための疑似共振フライバックトポロジに基づいて設計され、高電力密度設計と輻射および雑音端子電圧の低減を可能にする。ここでは、この19V出力を備えた45W汎用入力絶縁型フライバックデモボードについて説明し、試験結果を示す。充電器およびアダプタ用途における本コントローラと800V CoolMOS P7に関する設計留意点とともに、800V CoolMOS P7によってスイッチモード電源にもたらされる利点も説明する。

【主な掲載内容】
・疑似共振フライバックの概要
・ICE2QS03Gの機能概要
・800V CoolMOS P7の概要/FullPAKとDPAKの熱的性能
・設計検討事項：800V MOSFET、UVLO回路
・デモボードの概要、PCBのレイアウト、トランスの構造

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