コンテンツ情報
公開日 |
2017/06/01 |
フォーマット |
PDF |
種類 |
技術文書・技術解説 |
ページ数・視聴時間 |
38ページ |
ファイルサイズ |
3.13MB
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要約
本アプリケーションノートは、最新の高耐圧スーパージャンクションMOSFET技術を用いた耐圧600VのCoolMOS(TM) P7の特性を説明し、PFCやLLCなどのハードスイッチング、ソフトスイッチングの最適な設計方法を紹介する。
新技術により、静電気放電(ESD)に対する耐性、発振の可能性が非常に低いこと、激しい転流による破壊に対して丈夫なボディダイオードを搭載しているなどの「使いやすさ」、と同時に、アプリケーションにおいて達成できる効率を大幅に向上する。バランスの良い費用対効果の高いソリューションとなっている。
最新600V P7シリーズの技術的利点を、前世代製品や競合デバイスとの比較、特性データや実際の測定結果に基づいて解説していく。