スイッチング電源で効果的に効率の最適化とEMI低減するには？スーパージャンクションMOSFETの活用方法

　モバイル機器の大幅な増加によって、SMPS、充電器、アダプタの設計ではその効率、熱特性の改善が製品の差別化や全体的なコスト削減のために常に求められている。

　これらの設計には通常MOSFETが用いられ、オン抵抗が低いほど効率が高くなる。RDS(ON)と定格電圧が同じ場合、スーパージャンクション（SJ） MOSFETは、標準的なプレーナ型と比べて、固有の容量が小さく高速にスイッチングできる。ただし高速スイッチングのSJ MOSFETは、EMI（電磁干渉）雑音のコンプライアンス要件を満たすために注意が必要となってくる。

　本アプリケーションノートでは、スイッチングMOSFETに関わる部品と寄生成分の影響について説明し、パラメータの値を変更してEMI特性への影響を探る。またSJ MOSFETを使って上記の技術が効果的に実践されている例について紹介する。標準的なMOSFETからSJ MOSFETへ移行することで設計の効率特性を向上させる方法を解説する。