プレーナ型とトレンチ型の利点を兼ね備えた理想的なMOSFET、Linear FET

　パワーMOSFETは、プレーナ型からトレンチ型へと進化することで、格段に低いRDS(on)が実現され、導通損失は大幅に低減されました。また、トレンチ型MOSFETは、スイッチングの高速化が可能で、ゲート-ソース間電圧のわずかな変化ではるかに大きなドレイン-ソース間電流が得られます。

　ただし、トレンチ型MOSFETには、安全動作領域（SOA）が狭まるといった望ましくない制限もあります。これはミリ秒範囲で明らかな制限となります。特にホットスワップ アプリケーションでは、1～10ミリ秒の範囲においてMOSFETが耐え得る大電流でゆっくりターンオンすること、すなわち広いSOAに対応できることが求められます。また、通常のオン動作条件では、低いRDS(on)が要求されます。

　新しいOptiMOS Linear FETは、トレンチ型MOSFETが備える低いRDS(on)と、プレーナ型MOSFETが備える広い安全動作領域（SOA）という利点を兼ね備えています。導通損失を抑え、デバイスの劣化や損壊を招くことなく大きな起動電流に対処する必要のあるホットスワップ、電気ヒューズ、バッテリ保護などに最適なソリューションです。

　本アプリケーション ノートでは、OptiMOS Linear FETの技術原理を詳しく説明し、標準的なトレンチ型MOSFETとの主な違いについて考察します。