Siの理論限界を超えた低オン抵抗を実現したMOSFET「CoolMOS」を知る

　新製品 600V CoolMOS(TM) CFD7 は、高速ボディダイオードを内蔵した最新の高電圧（HV) SJ MOSFET技術です。この新技術は、市場でのオン抵抗（RDS(on)）当たりの 逆回復電荷（Qrr)が最も低くなっています。特に、ボディダイオードに導通するハードコミュテーションが発生する共振スイッチングトポロジーにおいて、きわめて高い効率とクラス最高の信頼性を提供します。

　本書では、CFD7が共振スイッチングアプリケーションに最適な技術であることを説明し、信頼性、効率とパフォーマンスの技術パラメータに基づいて、新技術の利点を解説します。