パワーMOSFETのリニアモード設計で注意すべき安全動作領域図

　今日、パワーMOSFETの開発は、超高速スイッチングおよび超低オン抵抗デバイスに焦点を当てており、単位面積当たりのオン抵抗が減少し続けています。 その結果、10年前のパワーMOSFETと比較すると、現在の最先端のパワーMOSFETは、特定のRDS(on)に対してはるかに小さなシリコンダイ面積を利用しています。 したがって、特定のRDS(on)のデバイスの電力処理能力は一般的に低下しています。

　特にリニア動作モードでは、MOSFETの端子間の電圧と電流の同時発生による高電力消費をMOSFET内での処理が重要です。 安全動作領域図（SOA図）は、許容される最大電流電圧範囲を定義します。 特に、リニアモード動作の場合、パワーMOSFETの設計段階で考慮する必要があります。

　本書ではリニアモード動作でMOSFETを駆動するアプリケーションを紹介し、安全動作領域図とSOA限界線の読み方について解説、最後にリニアモード動作に適したMOSFETの選択について説明します。