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Efficient Power Conversion Corporation

技術文書

Efficient Power Conversion Corporation

小型高性能なLIDARを実現する「GaN MOSFET」の魅力と設計方法

光を用いたセンシング技術である「LIDAR」はADASやロボットなどに幅広く用いられており、電源にはシリコン(Si)MOSFETが多く採用されている。しかし、そこにGaN FETを採用することで機器の小型化や省エネルギー化を推進できる。

コンテンツ情報

公開日 2018/07/13 フォーマット PDF 種類 技術文書
ページ数・視聴時間 10ページ ファイルサイズ 1.02MB

要約

 光を用いたセンシング技術である「LIDAR」は光源や光学系の選択次第で多彩な能力を発揮する技術であり、自動車のADASやロボット、ドローンなどさまざまな用途での活用が期待されている。

 一般的には光源に赤外半導体レーザーを用い、そのスイッチにはシリコン(Si)のパワーMOSFETが利用されている。しかし、パワー半導体としてより優れた特性を持つガリウム窒素(GaN)のMOSFETも入手が容易となり、シリコンMOSFETに替わってのLIDARへの採用が現実的になっている。

 ここではLIDAR向けとしてGaN MOSFETを採用することのメリットと設計上の注意点について、Efficient Power TechnologyのGaN MOSFET「EPC2016C」を搭載したレーザードライバ「EPC9126」を例にして解説する。

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