小型高性能なLIDARを実現する「GaN MOSFET」の魅力と設計方法

　光を用いたセンシング技術である「LIDAR」は光源や光学系の選択次第で多彩な能力を発揮する技術であり、自動車のADASやロボット、ドローンなどさまざまな用途での活用が期待されている。

　一般的には光源に赤外半導体レーザーを用い、そのスイッチにはシリコン（Si）のパワーMOSFETが利用されている。しかし、パワー半導体としてより優れた特性を持つガリウム窒素（GaN）のMOSFETも入手が容易となり、シリコンMOSFETに替わってのLIDARへの採用が現実的になっている。

　ここではLIDAR向けとしてGaN MOSFETを採用することのメリットと設計上の注意点について、Efficient Power TechnologyのGaN MOSFET「EPC2016C」を搭載したレーザードライバ「EPC9126」を例にして解説する。