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ダイオードブリッジよりもPoE効率を大幅に改善する画期的なアプローチとは?

ダイオード設計よりもブリッジ回路での電力損失を低減し、高効率かつ費用効果の高いPoEシステムを構築できるアプローチとして期待される「クワッドMOSFET」。その導入効果を詳細に解説する。

コンテンツ情報

公開日 2019/09/05 フォーマット PDF 種類 技術文書
ページ数・視聴時間 15ページ ファイルサイズ 1.09MB

要約

 LANケーブルを通して電力を供給する技術「PoE(Power over Ethernet)」は、電源ケーブルが不要となりコスト削減や設置時間を短縮が見込める他、LANケーブルを敷設できる場所ならばどこにでも設置可能など、数多くのメリットがある。一方で、PoEを内蔵するスイッチについては、ネットワークの大規模化よって接続機器が増加するにつれ電力要件が高まっている。そのため、コンパクトなスペースでより効率が高く、発熱を抑える電力変換用半導体を使用する必要がある。

 PoEアプリケーションにおける受電側機器(PD)には、入力電力極性を制御するブリッジ回路が必要となる場合がある。これまでは、単純なダイオード設計が一般的なアプローチだったが、PDがより多くの電力を必要とするに伴い、ダイオードの導通損失が課題となってきた。

 本資料は、そうしたダイオードブリッジよりもPoE効率を大幅に改善するアプローチとして「クワッドMOSFET」の活用を提案。ブリッジ回路での電力損失を低減し、高効率かつ費用効果の高いPoEシステムを構築するソリューションの導入効果を紹介した技術文書である。

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