製造業のための製品・サービスを探す - TechFactory ホワイトペーパー ダウンロードセンター

WP

オン・セミコンダクター

技術文書

オン・セミコンダクター

パワー半導体デバイス開発を効率化する新たな「SPICEモデル」の活用手法

パワーエレクトロニクスの効率的な設計には、正確で予測能力の高い「SPICEモデル」を使用できるかにかかっている。本資料ではこのSPICEモデルを利用した最新の開発アプローチを紹介する。

コンテンツ情報

公開日 2019/11/11 フォーマット PDF 種類 技術文書
ページ数・視聴時間 19ページ ファイルサイズ 5.05MB

要約

 現在のパワーエレクトロニクスは、広範な種類の半導体デバイスがあり、それぞれ独自のメリットやトレードオフを持っている。トレンチIGBT、スーパージャンクションMOSFET、トレンチMOSFET、GaN HEMT、SiC MOSFET、SiCダイオードなどがその代表格だ。

 こうしたデバイスのメリットを全て実現するためのパワーモジュールの効率的な設計は、正確で予測能力の高い「SPICEモデル」を使用できるかにかかっているといえる。

 本資料は、ワイドバンドギャップデバイスを含むパワーエレクトロニクス半導体向けに、新しいSPICEモデルの活用を解説した技術文書だ。このモデルは、プロセスパラメーター、レイアウト情報に基づいており、SPICEや物理設計、プロセス技術間を直接結び付けることで設計を最適化するという。また、その最先端事例を紹介するとともに、パワー半導体デバイスのSPICEレベルのモデリングに対する新しいアプローチを提示する。

アンケート

※「アンケート回答」「続きを読む」には、下記ボタンを押して会員登録あるいはログインしてください。