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次世代パワーデバイス「GaN」に対する疑念を晴らす

GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品と見なすべきではない。さらなる高密度、高効率設計を実現する手段と捉えるべきである。

コンテンツ情報

公開日 2019/11/13 フォーマット PDF 種類 プレミアムコンテンツ
ページ数・視聴時間 8ページ ファイルサイズ 1.08MB

要約

 新しいパワーMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。

 多くの人が既存の設計のMOSFETをGaN(窒化ガリウム)パワー半導体に置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。

 GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度/高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。

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