業界特化型 技術・製品情報サイト
  • MONOist
  • EE Times Japan
  • EDN Japan
  • スマートジャパン
  • BUILT

オン・セミコンダクター

技術文書

オン・セミコンダクター

いまさら聞けない「GaNトランジスタ」と「SiCトランジスタ」の違いとは?

トランジスタの主要材料として「シリコン」に代わって利用され始めている2つの化合物半導体である「窒化ガリウム(GaN)」と「シリコンカーバイド(SiC)」。それぞれの特徴や違いを正しく理解しているだろうか。

コンテンツ情報
公開日 2020/07/06 フォーマット PDF 種類

技術文書

ページ数・視聴時間 7ページ ファイルサイズ 925KB
要約
 トランジスタの材料として活用されてきた「シリコン」にとって代わるものとして注目されている「化合物半導体」。化合物半導体の代表例といえるのが「発光ダイオード(LED)」だろう。車載用システムや電気自動車(EV)などで活用されるようになった。

 しかし、化合物半導体には製造が難しく、高価になるという課題もある。その解決策となったのが「窒化ガリウム(GaN)」と「シリコンカーバイド(SiC)」のパワートランジスタだ。この2つには類似する点と大きく違う点がある。

 以下の資料では、GaNとSiCの特徴を解説するとともにシリコンベースの他の半導体との比較などを紹介。要求が厳しくなっている新しいアプリケーションへの適用度などを示している。今後の製品開発において大きな役割を担うGaNやSiCの特徴について、改めて確認しておくのに最適な資料だ。
アンケート
※「アンケート回答」「続きを読む」には、下記ボタンを押して会員登録あるいはログインしてください。