いまさら聞けない「GaNトランジスタ」と「SiCトランジスタ」の違いとは？

　トランジスタの材料として活用されてきた「シリコン」にとって代わるものとして注目されている「化合物半導体」。化合物半導体の代表例といえるのが「発光ダイオード（LED）」だろう。車載用システムや電気自動車（EV）などで活用されるようになった。

　しかし、化合物半導体には製造が難しく、高価になるという課題もある。その解決策となったのが「窒化ガリウム（GaN）」と「シリコンカーバイド（SiC）」のパワートランジスタだ。この2つには類似する点と大きく違う点がある。

　以下の資料では、GaNとSiCの特徴を解説するとともにシリコンベースの他の半導体との比較などを紹介。要求が厳しくなっている新しいアプリケーションへの適用度などを示している。今後の製品開発において大きな役割を担うGaNやSiCの特徴について、改めて確認しておくのに最適な資料だ。