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オン・セミコンダクター

技術文書

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SiC MOSFETのスイッチング性能を最適化するためのゲートドライブ設計要件

SiC MOSFETは、高電圧スイッチング電源アプリケーションでの使用において、従来のシリコンベースのMOSFETやIGBTに比べ、大きな利点をもたらす。SiCMOSFETはゲートドライブ回路を理解し最適化することにより、信頼性と全体的なスイッチング性能の向上が可能となる。

コンテンツ情報
公開日 2020/10/01 フォーマット PDF 種類

技術文書

ページ数・視聴時間 23ページ ファイルサイズ 2.93MB
要約
 高性能ゲートドライブ回路を設計する際に考慮する必要があり、SiC MOSFET独自の特性の一部に的を絞って説明する。

 SiC MOSFETに関連する、適度のトランスコンダクタンスは、ゲートドライブの観点からは特に面倒だ。多くの場合は汎用のローサイドゲートドライバを使用するが、SiC MOSFETを効率的かつ信頼性の高い方法で駆動するために必要な機能が欠けている。SiC MOSFETが市場で広く採用されるには、ドライバの使いやすさも関係する。

 効率的かつ信頼性の高い方法でSiC MOSFETを駆動するための、簡潔で高性能・高速なソリューションを紹介し、スタートアップ、フォルト保護、定常状態のスイッチングなど、システムレベルの各条件についても説明する。
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