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オン・セミコンダクター

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MOSFET/IGBT向けゲートドライバの電力損失削減のポイント

MOSFETやIGBTを駆動させるゲートドライバ。エネルギー損失を最小限にとどめるためのポイントとは?

コンテンツ情報
公開日 2020/11/02 フォーマット PDF 種類

技術文書

ページ数・視聴時間 8ページ ファイルサイズ 568KB
要約
 高速なスイッチングが可能であり、さまざまな機器に利用されているMOSFETやIGBT。その駆動に必要な電圧を印加する役割を担うのがゲートドライバだ。しかし、ゲートドライバは許容温度範囲を超えてしまった場合など、動作条件によってかなりの電力を消費してしまうケースがある。

 ゲートドライバにおけるエネルギー損失を最小限にとどめるためには、確実に許容温度範囲内で動作させることが重要になる。そのためには、アプリケーションでドライバの消費電力と、それに相関する接合部の発熱についての分析を行うことが大きく役立つ。

 本資料はこうした高電圧ゲートドライバの電力消費と発熱について考察した技術資料だ。ゲートドライバのさまざまな電力損失パターンとそれに関係する熱設計について解説しており、半導体エンジニアは一読しておきたい内容となっている。
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