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オン・セミコンダクター

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スイッチモード設計のパワー半導体に「SiC」が選ばれる理由

効率性や小型化、省コストなど年々要求が厳しくなるパワーエレクトロニクス製品。その設計では最適なパワー半導体の選択が重要だ。Si(シリコン)、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)など候補の中からどれを選べばよいのだろうか?

コンテンツ情報
公開日 2020/12/01 フォーマット PDF 種類

技術文書

ページ数・視聴時間 4ページ ファイルサイズ 211KB
要約
 ソーラー発電システム、エネルギー貯蔵システム、EV充電ステーションなどの分野への応用も期待されるパワーエレクトロニクス製品。その設計における目標は年々厳しくなっており、高効率や電力増加にとどまらず、小型化やコスト削減なども求められるようになっている。

 そこで注目を集めているが「SiC MOSFET」だ。現在の主流であるSi(シリコン)に代わるものとして、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)などがパワー半導体用素子としての地位を確立しつつある。

 以下の資料では「電力効率」「コスト面」「GaNとの性能比較」などの観点から、SiCデバイスの有用性を考察。その上で、よりエネルギー効率に優れたパワーエレクトロニクス製品を設計するためのSiC活用のヒントを提示する。パワーエレクトロニクス関連製品の開発に携わるエンジニアは一読しておきたい資料だ。
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