コンテンツ情報
公開日 |
2021/06/25 |
フォーマット |
PDF |
種類 |
製品資料 |
ページ数・視聴時間 |
21ページ |
ファイルサイズ |
1.67MB
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要約
近年、製品市場投入までの時間短縮要求は厳しさを増しており、機器の開発設計に携わる技術者には短時間で極力手戻りのない設計が求められている。その解決策の1つとして、デバイスメーカーが提供するリファレンスデザインを利用するケースが増えてきた。
本資料で紹介されている2つのリファレンスデザインは、電力変換システムの高効率化と小型化を意図したものだ。高効率化のための損失低減には、スイッチング素子を従来のIGBTからSiC MOSFETに置き換えることがポイントになる。
また、SiCパワーデバイスが、大電力アプリケーションにおいて非常に有用な選択肢であることはすでに広く知られているが、その優れた特性を活用するためには、SiCパワーデバイスの特徴を理解する必要がある。これらのリファレンスデザインは設計者向けの各種ドキュメント類に加え、回路図・基板レイアウトデータなどEDAツール向けデータを提供しており、開発設計をスムーズかつ迅速に進める大きな手助けになるはずだ。