SiC MOSFETの使用に注意点、駆動方法の違いに配慮して設計時に検討すべきこと

　SiC技術は、高効率・高電力密度のシステムを可能にする選択肢として魅力的だが、幾つかの慎重に検討すべき要件もある。一般に、SiCアプリケーションのゲートドライバであれば、正負両方のVGSを持つ電源電圧範囲、100kV/μs以上のコモンモード過渡耐性（CMTI）、最大1700Vの動作絶縁電圧などが設計コンセプトに応じてチェックされることになる。

　こうした仕様を考慮すれば、ゲートドライバはスイッチング損失を低減しつつ十分なスイッチング周波数で十分な駆動能力を持つ必要があり、さらに高いCMTI、最小限の寄生素子、最適化されたde-sat検出とソフトシャットダウン機能も持つことが望ましい。PCBのレイアウトにも、クロストークを防止するために信号ラインの対称性に留意しながら配線の最短化を目指すなど、幾つかのポイントがある。

　本資料では、こうしたSiC技術のメリットを最大限に引き出すための注意点について解説。併せて、その実践を助けるサポートツールを紹介する。