講演資料：SiC-MOSFET ゲート駆動設計のポイント解説

　従来のSi（シリコン）-MOSFETよりも高耐圧で低損失という特長を持つパワースイッチング素子であるSiC（炭化ケイ素）-MOSFET。自動車や産業機器など高耐圧が要求されるさまざまな用途で新たなパワーデバイスとして普及しつつある。ただ、SiC-MOSFETを採用する場合、従来のSi-MOSFETよりも高速なスイッチング速度を誇るSiC-MOSFETに適したゲート駆動回路を設計する必要がある。

　そこで本コンテンツでは、SiC-MOSFETの性能を最大限引き出すために押さえておきたいゲート駆動設計のポイントを紹介する。まず「ゲート電力の見積もり方法」や「ゲートドライバの消費電力算出方法」などゲートドライバを選ぶ上で理解しておきたいポイントを紹介。さらに、SiC-MOSFET特有の「ケルビンソースピン」を使用する利点にも触れる。その上で、「ゲート駆動回路の基板設計での注意点」や、安定したゲート駆動を実現する上で欠かせない「コモンモード過渡耐性（CMTI）」などについて解説していく。

【主な解説項目】
　・ゲート電力供給の必要条件
　・回路内の寄生成分の影響について
　・性能を最大限に引き出すPCB設計
　・ドライバの重要な要素となるCMTI