ソーラーエネルギーシステムのインバーター向けパワー半導体

　クリーンで再生可能なエネルギー源に対する需要の高まりから、ここ10年で加速的に設置が増加している「太陽光発電システム」。現在のソーラーアプリケーションは、高効率で電力密度が高く、軽量なグリッド型インバーターが求められている。従来の単相のソーラーインバーターは、IGBTが主流であったことから、SJ MOSFETを一部の単相設計で使用してきた。

　しかし、IGBTとSJ MOSFETのどちらも、インバーター効率や電力密度に限界がある。そこで注目を集めているのが、本資料で紹介する2つのアプローチだ。1つ目は、IGBTやSJ MOSFETをSiC MOSFETのようなワイドバンドギャップのデバイスに置き換えること。2つ目は、従来のトポロジー（H4、H5、H6など）を、より低電圧のSi MOSFETを用いたマルチレベルトポロジーに置き換えることだ。

　この2つのアプローチにより、「最大で99％の高い効率」「非常に高い電力密度」といった特長を持つインバーター設計が可能になるという。本資料では、実際に比較した場合の数値などを用いて詳しく解説しているので、ぜひ参考にしてほしい。