“SiCパワーデバイス”の新技術と製品開発を成功に導く信頼性認定プロセス

　パワーデバイスの新たな材料として注目されるシリコンカーバイド（SiC）は、従来のシリコン（Si）と類似点もあるが、材料特性そのものや新しいパワーデバイスの動作モードに関連する重要な相違点が存在する。これらの違いは大きく、最終的なアプリケーションでの動作や、必要とされる開発および信頼性認定プロセスへの影響を慎重に考慮する必要がある。

　本資料は、電力変換スイッチングデバイスの性能指数（Figure Of Merit）値を劇的に改善し、卓越したシステム性能を実現したSiCトレンチ型パワーMOSFETに関し、新技術と製品認定を成功に導くために歩んできたリリースまでの主なプロセスについて説明したものだ。主要な故障メカニズムなどについて解説している。

　このプロセスにより、ユーザーが遭遇する可能性のある多くのリスクが回避され、信頼性の高い新技術を使用するための安全な選択肢が提供されるようになる。産業用SiC MOSFETの製品開発を深掘りした本資料は、技術者にとっても入門書的な価値があるので、ぜひ詳細を確認してほしい。