SiCデバイスのさらなる活用に向けて、性能向上とコスト面改善をどう実現する？

　炭化ケイ素（SiC）デバイスは、産業用および車載用のアプリケーションで広く採用されている。さらに多様な用途で活用するためには、性能のさらなる向上とコスト面の改善が必要になる。

　そこで注目したいのが、SiC MOSFETの新シリーズだ。トレンチゲート技術の採用により、ゲート酸化膜の高い信頼性や導通損失の低減、スイッチング損失指標の改善をはじめさまざまなメリットを有し、ラインアップも充実している。2017年リリースのハードスイッチング、ソフトスイッチング、部分負荷アプリケーションにおいて優れた性能を発揮する前シリーズをベースに、セルの小型化により価格性能を向上させた他、一般的な負荷条件における電力損失を約5～20％低減、650Vと1200Vの双方で1桁台のRDS（on）まで対応可能といった各種機能が改善された。

　さらに複数の機能も追加し、ハードスイッチング、ソフトスイッチング、部分負荷条件において、大幅な効率向上を実現している。本資料では、こうした改善点に加えて、前シリーズおよび競合製品との性能比較なども紹介しているので、参考にしてほしい。