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日本電計株式会社

製品資料

日本電計株式会社

パワー半導体で注目のGaN、パワーアンプテストの課題と最適なアプローチ

コンテンツ情報
公開日 2025/06/12 フォーマット PDF 種類

製品資料

ページ数・視聴時間 12ページ ファイルサイズ 1.14MB
要約
パワー半導体で注目のGaN、パワーアンプテストの課題と最適なアプローチ
 パワーアンプ(PA)は、RFトランスミッタに不可欠なコンポーネントであり、RF信号送信チェーンの中で消費電力の大部分を占める。そのため、PAの開発においては適切な特性評価が非常に重要だ。従来、PAの素子にはシリコンが用いられてきた。しかし、近年の技術進歩により、より大きな電力、高い動作温度、優れた効率が求められるようになった。

 このニーズに応えるのが、窒化ガリウム(GaN)だ。GaNは、ワイドバンドギャップという特性を備えており、特に携帯電話基地局での利用に最適とされている。GaNの性能を発揮するには、PAの正確な評価が欠かせない。PAの評価には、さまざまなパラメータが用いられるため、測定には多様な機器が必要となり、手間と時間が膨大になる。そこで、テストの自動化が不可欠となる。

 本資料では、テストシステムの簡素化と自動化を実現するGaN PAテストソリューションについて解説する。また、本ソリューションを用いたテストシステムのセットアップ例も紹介する。多くの事例でテスト時間を5分の1~10分の1にまで短縮しているという同ソリューションの詳細をぜひ確認していただきたい。