SiC・GaN時代のパワー半導体開発、信頼性評価と故障解析の課題にどう対応する？

　エネルギー効率の向上や持続可能な社会の実現に向けて、電力制御を担うパワー半導体への期待が高まっている。近年では、従来のシリコンデバイスに加え、SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の採用が拡大し、高効率化や高耐圧化が進んでいる。

一方で、設計開発やプロセス開発の現場では、高電圧・高温環境への対応や新材料・新構造の採用に伴い、欠陥解析や信頼性評価の難度が増している。デバイスの品質と信頼性を確保するためには、欠陥を迅速に特定し、その発生要因を高精度に解析できる手法が不可欠となる。

本資料では、パワー半導体の解析・評価に活用される高分解能イメージングおよび故障解析ソリューションを紹介する。FE-SEM、FIB-SEM、X線顕微鏡（XRM）を活用した評価技術に加え、SiC MOSFETやGaNデバイスの解析事例、ウェハ欠陥評価、電気的故障解析、高速断面解析など、研究開発やプロセス開発に役立つ具体的なユースケースを解説する。パワー半導体開発の課題解決に向けたヒントとして、ぜひ参考にしていただきたい。