高度な半導体／電子デバイスの非破壊不良解析を支える「3D X線技術」に迫る

　エレクトロニクスや半導体パッケージングの開発／製造現場では、高帯域幅化や低コスト化といったニーズに加え、AIや自動運転などの市場拡大に応えるため、パッケージの多層化／高密度化が進んでいる。一方で、チップレット、TSV、HBMなどの先端パッケージ技術の普及に伴い、構造の複雑化によって内部での不良発生リスクが増大するという課題も生じている。

　不良は複雑な3D構造内部に存在することが多く、従来の物理断面切断などの手法では観察や原因特定が困難だ。開発手戻りによるタイムロスを防ぎ、根本原因を特定するには、サンプルを壊さずに3D構造内部を可視化／評価する手法が必要になる。

　本資料では、高度な半導体パッケージの非破壊不良解析を450nmという高い空間分解能で実現する、高精度な3D X線顕微鏡技術について解説している。製品の仕様や特徴に加え、リチウムイオン電池の評価やスマートフォン用カメラレンズの微細寸法検査といったユースケースも紹介しているので、さまざまな電子デバイス開発における非破壊解析による品質の向上や開発の加速に役立ててほしい。