次世代エレクトロニクスの不良解析、「3D X線顕微鏡」でどれだけ改善できる？

　エレクトロニクスおよび半導体パッケージングが急激に進歩する一方、インターコネクトの密度を高める高度なパッケージの普及は、構造を複雑化させ、製造上の新たな課題や不良発生のリスクをもたらしている。しかも、不良が発生する領域は複雑な3D構造内であることが多く、従来の方法では不良を検出することが難しい。

　そこで注目されるのが、3Dパッケージ内に潜むサブミクロンレベルの不良を、非破壊で可視化／特性評価できる「3D X線顕微鏡（XRM）」だ。500ナノの空間分解能を実現する他、大型サンプルでも優れた解像度を誇る。また、ソースの高速アクティブ化、高い空間分解能とコントラスト対ノイズ比により、構造／不良解析やプロセス開発、歩留まり改善において、高いパフォーマンスを発揮する。

　さらに、長寿命ソースによって、長期に渡る安定稼働を実現できる点も魅力だ。本資料では、このXRMの特長やメリットに加え、AIや逐次近似再構成法を採用したオプションモジュール、検査／測定用の非破壊イメージングソリューションなどについても紹介しているので、ぜひ参考にしてほしい。