半導体不良解析の新境地、プロセス開発を加速する次世代の3D X線顕微鏡の実力

　エレクトロニクスと半導体パッケージングは、市場ニーズやテクノロジーの進展に沿って急速に進歩している。しかし、高度なパッケージは構造を複雑化させ、新たな製造上の課題や不良発生のリスクも生じる。不良発生の原因は、レイヤー間をつなぐビアなどの複雑な3D構造内にあることが多いため、従来の解析手法では平面方向の特定は可能であるが、ビア部などの奥行き方向は断面を加工・切削して観察する必要があり、原因特定が難しい。

　新たなアプローチとしてX線CTという方法はあるが、分解能が低かったり、大型サンプルへの対応が難しかったりといった問題が指摘されていた。そこで本資料では、この問題をクリアしたXRM製品を紹介する。同製品は、450ナノの空間分解能を実現している他、光学的拡大と幾何学的拡大を組み合わせた検出技術により大型サンプルでも優れた解像度を誇る。

　半導体パッケージのみならず、リチウムイオン電池やカメラレンズなどの解析にも高い性能を発揮するのが特徴だ。本資料では、その特長を解説するとともに、オプションモジュールとして、さまざまな種類のサンプルにおけるスキャン速度と画質を改善する2つの再構築製品を紹介する。