接合部の微小な抵抗変化をどう捉える？　先端パッケージの低電流評価

　AI・モバイル・エッジ向け半導体の高性能化に伴い、先端半導体パッケージでは複数のダイやチップレットを高密度に接続する技術の重要性が高まっている。配線に加え、マイクロバンプやハイブリッドボンディング、はんだバンプなど、ダイや基板をつなぐ接合部の微細化・高密度化も進んでいる。

　設計開発で重要となるのが、ダイ間接続を担う微細接合部の信頼性評価である。その基本的な手法の1つが、導通抵抗のわずかな変化を正確に捉えることだ。しかし、微細な配線や接合部に大きな電流を流すと、発熱やエレクトロマイグレーションなどにより試料へ負荷を与えるおそれがある。一方、印加電流を小さくすると得られる電圧信号も微弱になり、微小な抵抗変化を高精度に捉えることが難しくなる。

　本資料では、低電流印加と高精度測定の両立が求められる背景を整理し、試料への負荷を抑えながら微小な抵抗変化を高精度に測定できる評価技術とシステム構成を解説する。