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「アナログ半導体」の検索結果一覧(5ページ目)

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オン・セミコンダクター

技術文書・技術解説

オン・セミコンダクター

スイッチモード設計のパワー半導体に「SiC」が選ばれる理由

効率性や小型化、省コストなど年々要求が厳しくなるパワーエレクトロニクス製品。その設計では最適なパワー半導体の選択が重要だ。Si(シリコン)、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)など候補の中からどれを選べばよいのだろうか?

2020/12/01

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

オン・セミコンダクター

技術文書・技術解説

オン・セミコンダクター

ダイオードブリッジよりもPoE効率を大幅に改善する画期的なアプローチとは?

ダイオード設計よりもブリッジ回路での電力損失を低減し、高効率かつ費用効果の高いPoEシステムを構築できるアプローチとして期待される「クワッドMOSFET」。その導入効果を詳細に解説する。

2020/11/02

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

オン・セミコンダクター

技術文書・技術解説

オン・セミコンダクター

SiC MOSFETのスイッチング性能を最適化するためのゲートドライブ設計要件

SiC MOSFETは、高電圧スイッチング電源アプリケーションでの使用において、従来のシリコンベースのMOSFETやIGBTに比べ、大きな利点をもたらす。SiCMOSFETはゲートドライブ回路を理解し最適化することにより、信頼性と全体的なスイッチング性能の向上が可能となる。

2020/10/01

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

オン・セミコンダクター

技術文書・技術解説

オン・セミコンダクター

IGBT技術とアプリケーションの概要: IGBTの使い方

パワーエレクトロニクスにおいて、新たなアプリケーション要件に対応するため、SiCやGaNなどの新技術の検討が多くなっている。しかし、新たな設計においても、従来のシリコン技術が有効なケースがあり、大電力、高電圧設計におけるIGBTの使い方を理解することは重要だ。

2020/09/07

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

オン・セミコンダクター

技術文書・技術解説

オン・セミコンダクター

いまさら聞けない「GaNトランジスタ」と「SiCトランジスタ」の違いとは?

トランジスタの主要材料として「シリコン」に代わって利用され始めている2つの化合物半導体である「窒化ガリウム(GaN)」と「シリコンカーバイド(SiC)」。それぞれの特徴や違いを正しく理解しているだろうか。

2020/09/07

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

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