MOSFET／IGBT向けゲートドライバの電力損失削減のポイント
MOSFETやIGBTを駆動させるゲートドライバ。エネルギー損失を最小限にとどめるためのポイントとは？
2020/11/02
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「アナログ半導体」の検索結果一覧（5ページ目）
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半導体業界に巨大M＆Aの波が再来 ―― 電子版2020年10月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版2020年10月号。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）では、昨今の半導体業界のM＆A動向をまとめた「半導体業界に巨大M＆Aの波が再来」をお送りする。
2020/10/14
SiC MOSFETのスイッチング性能を最適化するためのゲートドライブ設計要件
SiC MOSFETは、高電圧スイッチング電源アプリケーションでの使用において、従来のシリコンベースのMOSFETやIGBTに比べ、大きな利点をもたらす。SiCMOSFETはゲートドライブ回路を理解し最適化することにより、信頼性と全体的なスイッチング性能の向上が可能となる。
2020/10/01
ΔΣ型ADコンバータの内部動作を学ぶ
デルタシグマ（ΔΣ）型アナログ－デジタル（AD）コンバータの内部動作について解説する。
2020/09/30
IGBT技術とアプリケーションの概要： IGBTの使い方
パワーエレクトロニクスにおいて、新たなアプリケーション要件に対応するため、SiCやGaNなどの新技術の検討が多くなっている。しかし、新たな設計においても、従来のシリコン技術が有効なケースがあり、大電力、高電圧設計におけるIGBTの使い方を理解することは重要だ。
2020/09/07
いまさら聞けない「GaNトランジスタ」と「SiCトランジスタ」の違いとは？
トランジスタの主要材料として「シリコン」に代わって利用され始めている2つの化合物半導体である「窒化ガリウム（GaN）」と「シリコンカーバイド（SiC）」。それぞれの特徴や違いを正しく理解しているだろうか。
2020/09/07
ポータブルがん検出器に見る回路設計の指針
NMR分光の原理を簡単に説明するとともに、NMR分光を応用したがん検出器に用いた電子回路について紹介する。
2020/02/12
半導体商社業績 ～20年3月期 上期実績＆通期予想～
国内半導体／エレクトロニクス商社（集計対象：22社）の2020年3月期上期（4～9月累計）業績と2020年3月期通期業績予想をまとめ、一覧表を作成した。
2019/11/20
基礎から学ぶRFスイッチ
RFスイッチの基礎を紹介する。
2019/11/13
パワー半導体デバイス開発を効率化する新たな「SPICEモデル」の活用手法
パワーエレクトロニクスの効率的な設計には、正確で予測能力の高い「SPICEモデル」を使用できるかにかかっている。本資料ではこのSPICEモデルを利用した最新の開発アプローチを紹介する。
2019/11/11
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