熱負荷の低減でパワー半導体を長寿命化、新型ゲートドライバICは何が違う?
パワー半導体のスイッチング性能を最適化するためにゲート抵抗を大きくするとコンバーター効率が低下してしまう。また、ジャンクション温度が高まればパワーモジュールの寿命も短くなってしまう。これらの課題を解決する方法とは?
2023/10/06
パワー半導体のスイッチング性能を最適化するためにゲート抵抗を大きくするとコンバーター効率が低下してしまう。また、ジャンクション温度が高まればパワーモジュールの寿命も短くなってしまう。これらの課題を解決する方法とは?
2023/10/06
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2023/10/02
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2023/09/21
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2023/09/20
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2023年9月号を発行しました。今号のEE Exclusive(電子版限定先行公開記事)は、『チップからパッケージまで: TSMCのロードマップをたどる 』です。
2023/09/15
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