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「アナログ半導体」の検索結果一覧(1ページ目)

「エレクトロニクス」/「アナログ半導体」の資料は、無料でダウンロードが可能です。「エレクトロニクス」/「アナログ半導体」の比較・検討は TechFactory ホワイトペーパー ダウンロードセンター をお使い下さい。

38件(1〜10件を表示しています)

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社

技術文書

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社

パワーMOSFETのリニアモード設計で注意すべき安全動作領域図

パワーMOSFETの発展により、小型化したデバイスの電力処理能力は低下し、リニアモードでは、端子間の電圧と電流の同時発生による高電力消費をMOSFET内で処理することが重要となる。本書は特にリニアモードで課題となる安全動作領域図(SOA図)について分かりやすく解説する。

2018/02/01

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社

技術文書

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高耐圧MOSFETの熱性能を損なわずコスト削減を実現するには~DPAKパッケージからのベストな載せ替え方法~

MOSFETの価格を考えるとき、パッケージコストは大きな影響を及ぼす。DPAKパッケージから同じ要件、メリットを備えた代替パッケージとして、コストメリットの高いSOT-223パッケージを高耐圧スーパージャンクションMOSFET に使用する方法を、最大の課題となる熱挙動の比較を交えながら解説する。

2017/12/27

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

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技術文書

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プレーナ型とトレンチ型の利点を兼ね備えた理想的なMOSFET、Linear FET

パワーMOSFETは、トレンチテクノロジーにより導通/スイッチング損失を低減してきたが、安全動作領域(SOA)の制限が生じる。ここではトレンチ型が備える低いRDS(on)と、プレーナ型が備える広い安全動作領域を併せ持つLinear FETの技術原理を説明し、標準的なトレンチ型との違いについて解説。

2017/09/29

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

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技術文書

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スイッチング電源で効果的に効率の最適化とEMI低減するには?スーパージャンクションMOSFETの活用方法

モバイル機器の大幅増加により、SMPS設計では効率の改善が求められている。スーパージャンクションMOSFETを用いることで高速スイッチングが可能となるが、EMIに注意が必要となる。ここではスイッチングMOSFETに関わる寄生成分の影響について解説し、EMIを最適化する例を紹介する。

2017/08/25

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

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技術文書

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高耐圧の電力変換アプリケーションを改善するには?

PFCやLLCなどのハードスイッチング用途では、発振しにくく、丈夫なボディダイオードなど、使いやすさが求められる。一方電力密度の向上や、効率改善も重要である。使いやすさと効率を備えた最新高耐圧スーパージャンクションMOSFETを用いて最適な設計の実現方法を解説する。

2017/06/01

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

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技術文書

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高耐圧MOSFETの熱特性、効率、EMI雑音特性と基本的なフライバック構成

充電器やアダプタなど民生機器のアプリケーション向けに通常用いられる基本的な3種類のフライバック構成を解説。また低電力用途で設計者の抱える課題について、耐圧700Vの新世代MOSFETを用いた価格競争力のあるソリューションを紹介。スイッチング電源(SMPS)設計者必読の資料。

2017/04/28

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社

技術文書

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最適なMOSFET選定でBLDCモータインバータ設計の電力損失を向上する方法

BLDCモータには、医療機器、家電、電動工具、FA等のアプリケーションにおいて多くの利点がありますが、特有の課題もあります。本書では設計者が直面する課題を中心に、MOSFETの選択に関して考慮すべきポイント、電力段における損失の正確な特定方法などについて解説します。

2017/04/28

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

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技術文書

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SMPSにおけるローサイドMOSFETドライバの利点

SMPSで使われているさまざまなトポロジで効率的な電力変換を実現するには、パワーMOSFETとドライバの組み合わせが重要になる。本書ではスイッチング性能を強化するために有用なMOSFETドライバの機能を解説し、堅牢で効果的なドライバ段の設計を可能にするローサイドドライバを紹介する。

2017/03/01

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

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疑似共振フライバックの設計方法 - 最新の800V MOSFET「CoolMOS P7」の効率と熱特性

疑似共振フライバックは、スイッチング損失の低減に有効なトポロジである。本書では、最新世代のMOSFETを使用した疑似共振フライバックの設計方法を、45Wアダプタデモボードの例と共に紹介し、高電力密度設計と雑音端子電圧の低減を可能にするポイントを解説する。

2017/01/05

カテゴリ:
エレクトロニクス
アナログ半導体

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